特許

J-GLOBAL ID：200903079008109266

強誘電体キャパシタの評価方法

発明者： 田中 均洋 ,  広中 克行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156139
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 製造工程が適切であるか否かを判断可能な適切な情報を提供することができ、製品の製造コストの低減を図る。【解決手段】 強誘電体キャパシタの評価を製造プロセス中に行う。この評価においては、まず、上部電極と下部電極とに探針をあて、温度を様々に変えて上部電極と下部電極との間に三角波を印加する。このときの分極反転電荷量を測定し、残留自発分極の2乗値(+Pr )2 の温度依存性を求める。150°C未満における(+Pr )2 の温度依存性を表す点のうち、少なくとも3点以上の点を用いて(+Pr )2 の温度依存性における回帰関数を求める。回帰関数と測定された(+Pr )2 の実測値とのずれを求める。求められたずれを、室温における(+Pr )2 により規格化する。規格化されたずれを所定の基準と比較して、強誘電体キャパシタの評価を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に、強誘電体キャパシタにおける強誘電体膜を形成した後、上記強誘電体キャパシタのパッケージングを行う前に、上記強誘電体キャパシタの評価を行うようにしたことを特徴とする強誘電体キャパシタの評価方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 W ,  G01R 31/00 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (30件)：

2G036AA04 ,  2G036AA12 ,  2G036AA13 ,  2G036AA27 ,  2G036BB02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB12 ,  4M106AB16 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA12 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DJ12 ,  4M106DJ20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20