特許

J-GLOBAL ID：200903079009889435

ダイヤモンドの合成法

発明者： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327090
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172089
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 気相合成法によるエピタキシャル成長を長時間維持し、均質かつ良質な厚膜ダイヤモンド単結晶層の製造方法を得る。【構成】 主たる成長面の{100}面からのずれが10度以内である基板を用いて、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])を1.5%以上の条件で0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を成長させる工程と、比率Aが1.5%未満の条件で0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を成長させる工程とを交互に繰りしてエピタキシャル成長を続ける。【効果】 均質で異常成長が少ない厚膜のダイヤモンド単結晶を容易に得ることができ、また硼素や窒素などのドーピングが可能である。したがって、工具、半導体基材、放熱基板、光学材料、音響振動板などに幅広く用いることができる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板の{100}面または{100}面からのずれが10度以内である面の上に、少なくとも炭素と水素を含む気相からダイヤモンドをエピタキシャル成長させる方法であって、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])が1.5%以上の条件において0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を成長させる過程と、Aが1.5%未満において0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を成長させる過程と、からなる異なる2種以上の過程を少なくとも交互に2回以上繰り返すことを含むことを特徴とするダイヤモンドの合成法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/18