特許

J-GLOBAL ID：200903079014866338

成膜方法

発明者： 須川 俊夫 ,  倉増 敬三郎 ,  高橋 宗子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165208
公開番号（公開出願番号）：特開平8-027573
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は所望の膜厚あるいは膜厚分布やさらには膜の組成をも正確に得るための新規な成膜方法を提供するものである。【構成】 基板上に膜を形成し、膜に電磁波もしくは粒子線を照射し二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの膜の構成元素あるいは構成元素の割合あるいは単位面積当たりの質量の内いずれか乃至複数を測定し、この測定結果から前記膜の形成条件を設定する。特にX線を照射し、膜からの蛍光X線を検出するものである。所望の膜厚あるいは膜厚分布や膜質をも正確に制御して得ることが可能となり、成膜時に製品を所望の特性に制御することを可能とするものである。

請求項（抜粋）：

基板上に膜を被着形成し、少なくともこの膜に電磁波もしくは粒子線を照射し二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの膜の構成元素あるいは構成元素の割合あるいは単位面積当たりの質量の内少なくとも一項目を測定し、この測定結果から前記膜の形成条件を設定する成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/54 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/56

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-005908
  
• 特開平3-183763
  
• 特公平5-047631
  
• 特開平3-220717
  
• 特開平1-235840