特許
J-GLOBAL ID：200903079016976386
薄膜トランジスタアレイの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163585
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 製造工程及び大面積化が容易であり、段差の無い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に金属膜を形成し、次いでこの金属膜上にレジストを塗布して露光・現像することによりレジストパターンを形成した後、レジストパターンをエッチング用マスクとして金属膜をエッチングし、さらにレジストパターン付き絶縁基板と液相析出用処理液とを接触させて絶縁基板上に絶縁膜を形成した後、レジストパターンまたはレジストパターン及びレジストパターン上の絶縁膜を除去する。この工程により、TFTと電極接触を取るための金属膜が絶縁基板表面に埋設された状態となり、ゲート配線の抵抗を大きく低減することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に複数の薄膜トランジスタを形成してなる薄膜トランジスタアレイの製造方法において、該絶縁基板上に金属膜を形成し、次いで該金属膜上にレジストを塗布し、該レジストを露光及び現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパターンをエッチング用マスクとして該金属膜をエッチングし、さらに該レジストパターン付き絶縁基板と液相析出用処理液とを接触させて該絶縁基板上に絶縁膜を形成した後、該レジストパターンまたは該レジストパターン及び該レジストパターン上の絶縁膜を除去することを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 G
