半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166024
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013400
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】本発明は簡略化された工程で高信頼性で優れた電気特性を有するLDD構造の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 LDD構造を有する半導体装置の製造方法において、ソース・ドレイン電極間の電気的耐圧の高い高信頼性で特性のばらつきが少なく優れた電気的特性を有するLDD構造の半導体装置を簡略化された工程で容易に実現できることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜と窒化シリコン膜を形成した後多結晶シリコンからなるゲート電極を形成する工程と、前記多結晶シリコンからなるゲート電極を熱酸化してサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記多結晶シリコンからなるゲート電極と前記サイドウォール絶縁膜をマスクにして前記半導体基板上に不純物イオンを注入する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 P

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