スパッタリング用ターゲット及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049632
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】光学特性としては可視域で屈折率、吸収係数が小さく、その上耐摩耗性、化学的安定性などにも優れた保護膜を、直流スパッタリング法で長時間継続して安定的に形成可能なスパッタリング用ターゲットとその製造方法を提供する。【構成】 SiCと、ZrCもしくはZrNの少なくとも一種からなるZr化合物とを主成分とした焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。製造方法は、SiC粉末と、ZrCもしくはZrNの少なくとも一種のZr化合物粉末とを混合し、この混合粉末を加熱し焼結する。

請求項（抜粋）：