特許
J-GLOBAL ID：200903079024102212
半導体ウェハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279819
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092777
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【目的】 アルカリエッチングされた半導体ウェハであって、金属汚染を防止できる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットを切断しウェハを得る。切断されたウェハの周縁部を面取りする。面取りされたウェハをラッピングにより平坦化する。平坦化されたウェハをアルカリエッチングする。アルカリエッチングされたウェハを希釈した混酸液を使用して酸洗浄する。酸洗浄されたウェハの表面を研磨する。研磨されたウェハを洗浄する。
請求項（抜粋）：
平坦化されたウェハをアルカリエッチングし、アルカリエッチングされたウェハを研磨して半導体ウェハを得る半導体ウェハの製造方法において、アルカリエッチングされたウェハの表面に付着している金属を除去する金属汚染除去工程を設けたことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 341
, H01L 21/308
H01L 21/304 321 B
, H01L 21/304 341 M
, H01L 21/308 G
