特許
J-GLOBAL ID：200903079024297692
電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130481
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342812
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 Inを含む電界効果トランジスタにおいて、ゲートリーク電流が少なく、ゲート耐圧が大きい電界効果トランジスタを提供するものである。【構成】 ゲート電極の下にInAlAs層を含むトランジスタにおいて、ゲート直下のInAlAs層中にInAlAs層より電子親和力の小さい第1の半導体層を含むことを特徴とする。本発明の電界効果トランジスタは、InAlAs層より電子親和力の小さい第1の半導体層4の上にInAlAs層5が存在するため、ゲート電極7を形成するためのn型InGaAs層6をエッチング除去の際、歩留まり良く、第1の半導体層を残したまま上層のInAlAs層5でエッチングが停止できる。【効果】 ゲートリーク電流が少なく、ゲート耐圧が向上した電界効果トランジスタが歩留まり、再現性良く得られる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極の下にInAlAs層を含む電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極の下のInAlAs層中にInAlAs層より電子親和力の小さい第1の半導体層を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
