特許
J-GLOBAL ID：200903079027174419
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204470
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051073
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置に関し、極めて簡単な手段を適用することに依って、GaN系材料に引っ張り歪みの導入を可能とし、短波長光を発生する半導体発光装置のしきい値電流密度を低減させようとする。【解決手段】 ZnO基板1上に形成され、例えば500〔°C〕の低温で成長されたGaNからなる低温成長バッファ層2と、低温成長バッファ層2上に形成され、ZnO基板1との熱膨張係数差に由来する引っ張り歪みが導入されたアンドープGaN活性層5とを備える。
請求項（抜粋）：
ZnO基板上に形成された低温成長バッファ層と、該低温成長バッファ層上に形成され該ZnO基板との熱膨張係数差に由来する引っ張り歪みが導入されたGaN活性層とを備えてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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