レーザーアニール処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有近紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275080
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】スループットを向上できるレーザーアニール処理装置を提供する。【解決手段】基板投入用チャンバー3内のカセット3Aから未処理の被処理基板Mの1枚を搬送ロボット4Aでアニールチャンバー11内へ搬送し、基板保持装置5Bに保持させる。予備加熱ヒーター5Aにより、被処理基板Mを予備加熱した後、被処理基板MをXYテーブル6A上へ載置する。XYテーブル6Aは、保温用ヒーター6Bにより被処理基板Mを保温しながら移動し、小面積のレーザー照射部分Pで前記被処理基板Mの非晶質半導体薄膜の全面を走査する。その後、被処理基板MをXYテーブル6A上から基板保持装置7Bに移し、冷却装置7Aで冷却する。次に、搬送ロボット18Aにより基板取り出し用チャンバー9内のカセット9Aに搬送する。【効果】搬送回数および受渡し回数を低減できるので、処理時間を全体として短縮することができ、スループットを向上できる。

請求項（抜粋）：

アニールチャンバー(1)内に置かれた被処理体(S)に外部からレーザー導入用窓(6C)を通してレーザー光(R)を照射するレーザーアニール処理装置において、前記アニールチャンバー(1)内に予備加熱ヒーター(5A)を設け、レーザー光(R)を照射する前の被処理体(S)を前記アニールチャンバー(1)内で予備加熱することを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。

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