特許
J-GLOBAL ID：200903079029539414
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166984
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 パワーMOSFETの特性向上(低オン抵抗化)のために電極取り出し部分(ワイヤ)の持つ抵抗分を軽減化する。【構成】 ボンディングワイヤに代りリードのボンディング・ポスト部分を延長してペレット電極に直接に接続する構造とし、ワイヤの抵抗分を小さくし、低オン抵抗のディバイスを実現する。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、素子の基板を取付けた金属ヘッダと、ヘッダおよび素子の電極に電気的に接続させた複数のリードと、これらを包囲して封止するパッケージ部材とからなる半導体装置であって、少なくとも1本のリードを素子の電極位置まで延長し、リード先端を電極に対し直接に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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