特許

J-GLOBAL ID：200903079029979236

積層型熱電変換装置,熱電発電用サブユニット,および発電システム

発明者： 古後 正▲徳▼ ,  丹治 雍典 ,  増本 健 ,  中川 康昭 ,  金子 武次郎 ,  佐藤 利三郎 ,  久保木 實
出願人/特許権者： 株式会社トーキン ,  佐藤 利三郎 ,  増本 健
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221352
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 熱歪みによる素子破壊の問題を解決する。【構成】 高温熱伝達板(12H )、N型半導体素子(11n)、低温熱伝達板(12L )、P型半導体素子(11p)の順番に積層した熱電対群棒状積層体の両端に一対の電極板(13p,13c)を設け、これら電極板が互いに近接する方向に固定螺子(14-1,14-2)で押圧する。高温熱伝達パイプ(15H)で高温熱伝達板(12H )を加熱し、低温熱伝達パイプ(15L )で低温熱伝達板(12L )から放熱する。これにより、高温熱伝達板(12H )と低温熱伝達パイプ(15L )との間に温度差を生じ、ゼーベック効果によりN型半導体素子(11n)に負、P型半導体素子(11p)に正の熱起電力が発生する。外部に負荷をつなぐと熱電流が流れる。

請求項（抜粋）：

中心がほぼ中心軸に一致するように、前記中心軸に沿って所定間隔で配置された複数枚のN型半導体素子(11n)と、各々が隣接する2枚の前記N型半導体素子のほぼ中間に位置するように、前記中心軸に沿って前記所定間隔で配置された複数枚のP型半導体素子(11p)と、前記複数枚のN型半導体素子と前記複数枚のP型半導体素子との隙間に、前記所定間隔で配置された複数枚の高温熱伝達板(12H )と、前記複数枚のN型半導体素子と前記複数枚のP型半導体素子との残りの隙間に、前記所定間隔で配置された複数枚の低温熱伝達板(12L )と、両端にある高温熱伝達板又は低温熱伝達板の2枚の端熱伝達板に設けられた一対の電極板(13p,13c)とを備えたことを特徴とする積層型熱電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  G01K 7/02 ,  H02N 11/00