特許

J-GLOBAL ID：200903079030108915

半導体装置及びその製造方法

発明者： 竹中 正司 ,  山下 達郎 ,  河西 純一 ,  水越 正孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185913
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107162
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、プリント基板上に実装したときに、熱応力が生じにくい構造を実現することを課題とする。【解決手段】 LSIチップ41と、保護枠44と、リード構造部42とを有する。リード構造部42は、第1のリード構造体60と、第2のリード構造体61とよりなる。第1のリード構造体60は、Cu箔リード50よりなる。第2のリード構造体61は、多数の極細の短いピン51と、多数のピン51を整列した状態に保持するシリコーン樹脂製のベース53とよりなる。第2のリード構造体61が、各ピン51を対応するCu箔リード50と接合させて設けてある。ピン51が撓んで熱応力を吸収するよう構成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップを有する半導体装置本体と、該半導体装置本体に接合してあるリード構造体とよりなり、該リード構造体が、柔軟性を有するベースと、該ベースを挿通して、該ベースによって保持されて整列している多数のピンとよりなる構成を有し、各ピンの一端が、上記半導体チップと電気的に接続されている構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 K ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 621 A