特許
J-GLOBAL ID：200903079032280944
フォトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003000
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219207
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 近接効果を改善してキャパシタの容量を向上させうるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 透明な基板上に、前記基板の透光領域を限定する四角形状の遮光性マスクパターン11が形成されている。遮光性マスクパターン11の間にX軸方向に延びる透光領域とY軸方向に延びる透光領域とが交叉する交叉領域およびこの交叉領域に隣接する透光領域には透過率調節膜パターン10が形成されている。この透過率調節膜パターン10により近接効果が抑制され、マスクパターンがより正確に半導体装置の基板に形成されるので、キャパシタの面積を広げることができる。また、半導体装置の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
透明な基板と、前記基板上に形成され前記基板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンとを備え、前記透光領域の一部に前記遮光性マスクパターンの転写時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/26 513
, H01L 21/027
