特許

J-GLOBAL ID：200903079038426517

半導体装置

発明者： 近藤 雄 ,  斉藤 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175278
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップと回路基板との熱膨脹率の差に起因する接続部の破壊を防止することができ、熱ストレスに強いフェースダウン実装された半導体装置を提供すること。【構成】 主面に配線が設けられたガラスエポキシ等の配線基板11と、この配線基板11の主面に半田バンプ13を介してフェースダウンで接続された半導体チップ12とを備えた半導体装置において、バンプ接続部分の内側の中心付近において配線基板11に貫通孔11aを形成し、且つ半導体チップ12をシリコーン系の樹脂14により封止したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主面に配線が設けられた基板と、この基板の主面にフェースダウンで接続された半導体チップとを具備した半導体装置において、前記基板の厚みが半導体チップの搭載部分で他の部分よりも薄くなっていることを特徴とする半導体装置。