特許
J-GLOBAL ID：200903079038466934
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006016
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204525
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】半導体基板をダイシングする際に金属がめくれ上がってバリとなることのないスクライブ領域の構造を実現する。【解決手段】スクライブ領域に形成されるモニタートランジスタの回路からの引き出し電極を形成する金属配線パッドの部分の保護絶縁膜の開口から露出する金属配線をエッチングする。【効果】スクライブ領域の金属がバリとなってめくれ上がり、ボンディングワイヤーや実装のためのリードと短絡して電気的な不良を発生させることを解消する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上のスクライブ領域に形成されるモニタートランジスタの回路からの引き出し電極を形成する金属配線パッドの部分の保護絶縁膜の開口から露出する金属配線をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/301
H01L 21/88 Z
, H01L 21/78 L
