特許

J-GLOBAL ID：200903079039031966

レジストパターン形成方法

発明者： 巳浪 裕之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003204
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191044
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 現像後に熱処理を行なうことなく、側壁のテーパー角度が90度未満のレジストパターンを得ることができるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に絶縁膜2を形成し、該絶縁膜2の表面にポジ型フォトレジスト3を塗布し、このフォトレジスト3に対して多重露光を、その多重露光のうちの前回の露光により感光されやすくなった状態の上記フォトレジストに対して同一の露光パターンを用いて露光することにより行ない、その後、上記フォトレジスト3を現像してレジストパターン11を得る構成とした。

請求項（抜粋）：

基板上にポジ形のフォトレジストを塗布する工程と、該フォトレジストに対して多重露光を、その多重露光のうちの前回の露光により感光されやすくなった状態の上記フォトレジストに対して同一の露光パターンを用いて露光することにより行なう工程と、上記フォトレジストを現像する工程とを備えたことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 514 B ,  H01L 21/30 576