埋め込み型ヘテロ構造レーザの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258874
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196811
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】ドライエッチングと気相堆積とを用いて、ヘテロ構造レーザの品質を改良し、歩留まりを改良する方法を提供することである。【構成】本発明の方法は、RIE(反応性イオンエッチング)によりメサをエッチングする製造プロセスであり、イオン照射損失、あるいは汚染が実質的にない「二次成長」ステップに適用できる。この好ましいアプローチは、RIEの完了後、二次成長の前に、半導体材料の所定有効量(例、10nm)を除去する光化学エッチングを行うことである。別法としては、このRIEステップを、動作的に有意義な量だけこの損傷を減少するように実行するステップを含む。本発明の方法は、比較的小さな(-200から-50Vの範囲内)DCバイアス電圧を使用し、従って、RIEステップのすべての間、あるいは最終部分の間より高い動作プラズマ電圧は、250-500mT(32.5-65Pa)である。

請求項（抜粋）：

(a)InPを含む多層半導体を提供するステップと、(b)前記多層半導体の主表面上にパターン化マスク層(21)を形成するステップと、(c)メサ状構造体(20)をその表面に形成する為に、前記パターン化マスク層が形成された表面をガス状エッチング媒体からのイオン照射にさらすステップと、(d)前記表面の上にInとPを含有するIII/V族半導体材料層を成長させるステップと、からなる埋め込み型ヘテロ構造レーザの製造方法において、前記(d)ステップにおいて、InとPとを含む半導体材料は、前記表面をInを含有する有機組成物とPのソースとハロゲン含有有機組成物とを含む堆積ガスに接触させることになり、気相成長法により成長させ、(e)前記(c)ステップと(d)ステップとの間で、メサ状構造体がその上に形成される前記表面を、半導体材料の所定有意量がその表面から除去されるようにエッチング媒体に接触させるステップを有することを特徴とする埋め込み型ヘテロ構造レーザの製造方法。

前のページに戻る