投影露光方法、投影露光装置、及び投影露光用マスク、並びにその方法を用いた半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115843
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297978
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】マスク周辺部の酸素濃度を許容値以下に保つ為の不活性ガス置換を容易にして、短波長化した光リソグラフィを実現する露光方法及び装置、並びにそれに用いるペリクル付きマスクを提供する。【解決手段】ペリクル付きマスクを密封ケースに収納するとともにケース内を窒素置換する。一方、投影露光装置においては、光源1、各種光学系4、5、6、7、マスクステージ領域107、ウエーハステージ領域109をそれぞれ個別にパージできる構造にする。更にマスク準備室104を設け、この中にマスクケース103に収納されたままのマスク102を搬送し、窒素パージを行なう。酸素濃度が所定値以下になった時点でマスクを取り出しマスクステージ9上に載置し露光を開始する。これにより、マスクに設けられたペリクルを破損することなく、窒素パージされる露光光学系へのマスクの出し入れが可能となる。

請求項（抜粋）：

パターンが形成されたマスクを、その内部環境が一定条件に保たれたマスクケースに収納した状態で準備する工程と、ウエーハ基板上に該パターンを転写する為に該マスクを載置する露光装置の所定位置を囲む環境を計測する計測工程と、該環境を所定の環境条件に制御する環境制御工程と、該所定の環境条件のもとで該マスクケースから該マスクを取り出して該所定位置に載置するマスク搬送工程と、該所定位置に載置された該マスクに所定の波長の光を照明せしめ、該マスクに形成された該パターンを投影光学系を介して該ウエーハ基板上に転写する投影露光工程とを含んでなることを特徴とする投影露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 1/14 M , G03F 1/14 J , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 515 F , H01L 21/30 516 F

Fターム (17件)：

2H095BA01 , 2H095BA07 , 2H095BB30 , 2H095BC31 , 2H095BC33 , 2H095BE12 , 5F046AA22 , 5F046CA04 , 5F046CA08 , 5F046CB17 , 5F046CC02 , 5F046CC09 , 5F046CD02 , 5F046CD04 , 5F046DA27 , 5F046DB14 , 5F046DC05

前のページに戻る