特許
J-GLOBAL ID：200903079046873565
半導体力学量センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127419
公開番号（公開出願番号）：特開平11-326365
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】 検出方向と直交する方向への大きな力学量に対する各構成要素の強度を高めながら、捩り強度が低下してしまうことを防止する。【解決手段】 半導体加速度センサ11はSOI基板にマイクロマシニング技術を施すことにより形成されている。可動部2は両端が支持されており、重錘部5が矢印B方向の検出方向に作用する加速度により変位する。重錘部5には櫛歯形状の可動電極6が一体に形成されていると共に、その可動電極6に対向するように各固定電極7,8が片持ち支持されている。ここで、可動電極6及び各可動電極7,8には貫通孔31が形成されており、矩形枠状部を複数連結したラーメン構造形状に形成されている。これにより、可動電極6及び各固定電極7,8の重量は軽減されて検出方向と直交する方向の加速度に対する影響を抑制しながら、捩り強度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に支持され力学量の印加に応じて変位する重錘部と当該重錘部に一体形成された可動電極とからなる可動部と、前記可動電極の検出面と対向する検出面を有し片持ち支持された固定電極とを備え、力学量の印加に応じて前記可動部が変位したときの前記可動電極の検出面と前記固定電極の検出面との間の距離変化に応じて印加力学量を検出する半導体力学量センサにおいて、前記可動電極及び固定電極は、矩形枠状部を複数連結したラーメン構造形状に形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
