電気的デバイスの作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210859
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150003
出願日： 1988年09月30日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 PTC素子に電子ビーム照射による架橋を行なうと、ガス発生によりPTC素子に形成されていた電極が剥離する。【解決手段】架橋導電性重合体からなるPTC素子(10)と、PTC素子に電気的に接続され、該PTC素子を通して電流を生じさせるために電源に接続可能とした2つの電極(2,3)とを含む電気的デバイス(1)の作製方法であって、本方法はPTC素子に対して電子ビームの使用により放射線架橋を行い、次の条件、(a)平均照射速度は速くて3.0Mrad/分であり;(b)PTC素子の各々の電流-供給部分で吸収される照射量は少なくとも50Mradであり、そして、架橋反応において、電極に接触しているPTC素子のいずれの部分も(Tm-60)°Cより高温に達しない(Tmは重合体要素において最低融点を持つ重合体の示す差動走査熱量計による吸熱曲線のピークで測定された温度);の内の一つを満たす。

請求項（抜粋）：

(1)PTC特性を呈し、かつ重合体要素を含み、そして重合体要素内に分散された導電性充填剤の粒子を含む架橋導電性重合体からなるPTC素子と;そして、(2)PTC素子に電気的に接続され、該PTC素子を通して電流を生じさせるために電源に接続可能とした2つの電極とを含む、電気的デバイスの作製方法であって、本方法は、PTC素子に対して電子ビームの使用により照射架橋を行い、そして、次の条件、(a)平均照射速度は速くて3.0Mrad/分であり;(b)PTC素子の各々の電流-供給部分で吸収される照射量は少なくとも50Mradであり、そして、架橋反応において、電極に接触しているPTC素子のいずれの部分も(Tm-60)°Cより高温に達せず、ここでTmは、重合体要素において最低融点を持つ重合体の示す差動走査熱量計による吸熱曲線のピークで測定された温度である;の内の一つを満たすことを特徴とする電気的デバイスの作製方法。

IPC (3件)：

H01C 7/02 , H01B 1/24 , H05B 3/14

FI (4件)：

H01C 7/02 , H01B 1/24 C , H05B 3/14 A , H05B 3/14 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-093902
特開昭60-250601

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