特許

J-GLOBAL ID：200903079058920771

液晶表示素子の配向膜形成方法及び装置

発明者： 長谷川 誠 ,  富 井 等 ,  山 本 武 志 ,  秋 吉 宗 治 ,  上 埜 亜希子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264109
公開番号（公開出願番号）：特開平9-105939
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 配向膜材料の使用効率を可及的に高くすることを可能にするとともに配向膜に起因する表示品位の低下を可及的に膨することを可能にする。【解決手段】 電極が形成された基板の表面の凹凸を測定する工程と、この測定結果に基づいて前記基板の表面からの距離がほぼ所定値となるようにインクジェットノズルの位置を調節して配向膜形成溶液を噴射し、前記基板上に前記配向膜形成溶液の膜を形成する工程と、加熱処理を行うことにより前記配向膜形成溶液の膜内の溶媒を除去する工程と、を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電極が形成された基板の表面の凹凸を測定する工程と、この測定結果に基づいて前記基板の表面からの距離がほぼ所定値となるようにインクジェットノズルの位置を調節して配向膜形成溶液を噴射し、前記基板上に前記配向膜形成溶液の膜を形成する工程と、加熱処理を行うことにより前記配向膜形成溶液の膜内の溶媒を除去する工程と、を備えていることを特徴とする液晶表示素子の配向膜形成方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1333 500

FI (2件)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1333 500