特許
J-GLOBAL ID：200903079062596105

半導体受光素子

発明者：
田中 章雅

田中 章雅 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364604
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129776
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 高速応答特性に優れ、光検出を適切に行うことが可能な半導体受光素子を提供すること。【解決手段】 半導体受光素子PD1は、受光部11、第1パッド電極配置部21及び第2パッド電極配置部31を有する。受光部11において、高濃度キャリア層3aは、第1パッド電極配置部21近傍部分を除いて光吸収層5aとで段差を有するように形成されている。高濃度キャリア層3aの段差部分4には、コンタクト電極17が配置される。第2パッド電極配置部31の頂部には、パッシベーション膜19の上に第2パッド電極33が配置される。第2配線電極45は、その一端がパッシベーション膜19に形成されたコンタクトホール19aを通してコンタクト電極17に接続され、その他端が第2パッド電極33に接続される。これにより、高濃度キャリア層3aは、コンタクト電極17及び第2配線電極45を通して第2パッド電極33に電気的に接続される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に、当該半絶縁性基板側から第1導電型の高濃度キャリア層、第1導電型の光吸収層及び第1導電型のキャップ層を積層し、少なくとも前記キャップ層に第2導電型の受光領域が形成された半導体受光素子であって、 前記高濃度キャリア層、前記光吸収層及び前記受光領域が形成された前記キャップ層部分を含んでメサ状とされ、前記高濃度キャリア層に達する窪み部が形成された受光部と、 前記高濃度キャリア層、前記光吸収層及び前記キャップ層を含んでメサ状とされ、第1パッド電極が配置された第1パッド電極配置部と、 前記高濃度キャリア層、前記光吸収層及び前記キャップ層を含んでメサ状とされ、第2パッド電極が配置された第2パッド電極配置部と、を有し、 前記受光部の前記高濃度キャリア層は、前記受光部の前記光吸収層とで段差を有するように形成されており、 前記受光領域と前記第1パッド電極とを電気的に接続する第1配線電極が、前記受光部と前記第1パッド電極配置部との間にわたって当該受光部及び当該第1パッド電極配置部の側面に沿うように形成され、 前記受光部の前記高濃度キャリア層の段差部分と前記第2パッド電極とを電気的に接続する第2配線電極が、前記受光部と前記第2パッド電極配置部との間にわたって当該第2パッド電極配置部の側面に沿うように形成されていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
H01L31/10
FI (1件)：
H01L31/10 H
Fターム (10件)：
5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SS02 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (15件)
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