特許
J-GLOBAL ID：200903079064355970
半導体スイッチ素子の劣化診断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
名嶋 明郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064178
公開番号（公開出願番号）：特開平9-257870
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】半導体スイッチ素子を回路から取り外すことなく、その劣化の程度を正確に診断することができる劣化診断方法を提供する。【解決手段】サイリスタやGTO等の半導体スイッチ素子1を回路内に接続した状態のまま、電圧検出器2や電流検出器3を回路に取付け、半導体スイッチ素子1をオフとした状態で半導体スイッチ素子1への印加電圧とそのときに流れる漏れ電流の大きさとを測定する。そして判定部4が両者の関係に基づき劣化状態を診断する。
請求項（抜粋）：
半導体スイッチ素子を回路内に接続した状態のままオフとし、半導体スイッチ素子への印加電圧とそのときに流れる漏れ電流の大きさとから半導体スイッチ素子の劣化状態を診断することを特徴とする半導体スイッチ素子の劣化診断方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 31/26 D
, H03K 17/00 B
