半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109413
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168587
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】ダイナミックメモリのページモード時に、出力データとアドレスを別々にラッチすることにより、読み出しサイクルの高速化を実現することにある。【構成】反転CASを入力するタイミングジェネレータG3の出力信号を遅延回路141とAND回路142に入力し、その出力信号の立ち上りのタイミングにより、センスアンプ6の出力信号をラッチ回路11でラッチし、その出力を出力バッファ13に入力するとともに、前記出力バッファ13を反転WEで制御する。従って出力データのラッチ後は前データを出力中であっても、次のアドレスを読み込むことが可能となる。

請求項（抜粋）：

反転ライトイネーブル信号がハイレベルで、且つ反転ロウアドレスイネーブル信号の立ち下りのタイミングでロウアドレスを読み込み、反転カラムアドレスイネーブル信号の立ち下りのタイミングで繰りかえしカラムアドレスの読み込み、又は書き込みをするダイナミックメモリのページモードにおいて、前記反転カラムアドレスイネーブル信号を用いてセンスアンプの出力を保持する第1の手段と、前記第1の手段により保持したデータを前記反転ライトイネーブル信号を用いて外部に出力するかを制御する第2の手段とを備えることを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-028994
特開平3-023586
特開平3-232185

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