半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183455
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】薄膜積層化による3次元ICで、微細ピッチに対応し、機械的な強度を有する縦方向のチップ間接続方法と構造を提供する。【構成】あらかじめ形成された半導体デバイス10の絶縁膜上にスルーホール71を形成した後、接着剤で支持基板4を接着し、裏面から研磨して薄膜化し、別のデバイスの上に積層し、上層の支持基板と接着層を除去した後、スルーホールをマスクとして接着層をO2 プラズマアッシングで除去して下層の電極を露出させ、全面にめっき電極用導電性物質20を被覆し、めっき接続を形成したい部分が露出するようにフォトレジストをパターニングし、めっき接続を形成したい部分が露出するようにフォトレジストをパターニングし、電極に電流を流しながらめっき液に浸すことでめっき膜40を形成し、めっき膜をマスクとして導電性物質20をエッチングすることによって、上層と下層の電極を接続するめっき接続を形成する。

請求項（抜粋）：

あらかじめ形成された半導体デバイスに接着剤を用いて支持基板を接着し、デバイスの裏面から研磨によって薄膜化し、別のもう一つのデバイスの上に積層し、上層の支持基板および上層の接着層を除去した後、パターニングおよびエッチングにより下層の電極を露出させた後、全面にめっき電極用導電性物質を被覆し、めっき接続を形成したい部分が露出するようにマスクパターンを形成した後、電極に電流を流しながらめっき液に浸すおとによりめっき膜を形成し、このめっきをマスクとしてめっき電極用導電性物質をエッチングすることによって、上層デバイスの電極と下層デバイスの電極を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-140652
特開平4-290232
特開昭58-037935

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