半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282868
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体記憶装置に係り、特に、DRAMにおいてデータ読み出し/書き込み時の性能を向上させる技術に関し、データ読み出しの高速化を図ると共に、動作マージンの拡大とデータ読み出し/書き込み時の消費電力の低減化を図ることを目的とする。【構成】読み出しデータまたは書き込みデータを伝達する相補データバス線DB,DBXと、高電位の電源電圧VCCと低電位の電源電圧VSSの実質的に中間の電位を持つ電源ラインVMと、前記相補データバス線と前記電源ラインの間にそれぞれ接続され、リセット信号BSRに応答してオン・オフする1対のトランジスタQ1,Q2とを具備し、該1対のトランジスタのオン時に前記相補データバス線を前記実質的に中間の電位にプリチャージするように構成する。

請求項（抜粋）：

読み出しデータまたは書き込みデータを伝達する相補データバス線(DB,DBX)と、高電位の電源電圧(VCC)と低電位の電源電圧(VSS)の実質的に中間の電位を持つ電源ライン(VM)と、前記相補データバス線と前記電源ラインの間にそれぞれ接続され、リセット信号(BSR)に応答してオン・オフする1対のトランジスタ(Q1,Q2)とを具備し、該1対のトランジスタのオン時に前記相補データバス線を前記実質的に中間の電位にプリチャージすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/409 , H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 354 A , H01L 27/10 325 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-062785
特開昭62-046486
特開平4-074382

全件表示

前のページに戻る