特許
J-GLOBAL ID:200903079070580560

半導体装置と半導体素子の実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-115731
公開番号(公開出願番号):特開平9-283569
出願日: 1996年04月11日
公開日(公表日): 1997年10月31日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の中央の実動作部分の動作を支障なく行うことができる半導体装置と半導体素子の実装方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子1,101の突起電極2と回路基板3の配線部を、異方性導電膜10を介して電気的に接続することで構成された半導体装置において、異方性導電膜10の中央部が削除されており、異方性導電膜10が半導体素子1,101の突起電極2と回路基板3の配線部の電気的接続部分に対応するように配置されている。
請求項(抜粋):
半導体素子の突起電極と回路基板の配線部を、異方性導電膜を介して電気的に接続することで構成された半導体装置において、異方性導電膜の中央部が削除されており、異方性導電膜が半導体素子の突起電極と回路基板の配線部の電気的接続部分に対応するように配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 27/14 ,  H05K 3/32
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/32 B ,  H01L 27/14 D

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