特許
J-GLOBAL ID：200903079075979160
カーボンファイバ製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-014794
公開番号（公開出願番号）：特開2009-174092
出願日： 2008年01月25日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】高純度なカーボンファイバを量産することができ、かつ、原料ガスの有効利用率が高いカーボンファイバ製造方法を提供すること。【解決手段】本カーボンファイバ製造方法は、反応管12内を触媒付き基板16を進行させる過程で触媒をアニールして活性化すると共にこの進行方向に対向して流入されてくるC2H2ガスを分解させて基板16上にCNT22を成長させるに際して、触媒20がアニールされる基板16の進行位置ではH2ガス濃度を高くし、触媒高活性領域CではH2ガス濃度が高めのC2H2ガスにてカーボン不純物の生成を抑制し、触媒低活性領域DではC2H2ガス濃度を高くすることにより触媒20の能力を最大限にしてCNT22を成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
加熱雰囲気内を触媒付き基板を進行させる過程で触媒をアニールして活性化すると共にこの進行方向に対向して流入されてくる原料ガスを分解させて基板上にカーボンファイバを成長させるカーボンファイバ製造方法であり、
かつ、加熱雰囲気内において、
上記触媒がアニールされる基板の進行位置では当該触媒のアニール進行に有効な水素ガス濃度を高くし、
基板の進行途上において触媒活性が高い触媒高活性領域では水素ガス濃度が高めの原料ガスにてアモルファスカーボン等のカーボン不純物の生成を抑制し、
さらに基板の進行が進んで触媒活性が低くなる触媒低活性領域では高濃度の原料ガス供給により当該触媒の能力を最大限にしてカーボンファイバを成長させる、ことを特徴とするカーボンファイバ製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
D01F9/127
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB06
, 4G146BB22
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC29
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA26
, 4G146DA34
, 4G146DA40
, 4G146DA43
, 4L037CS03
, 4L037FA02
, 4L037PA02
, 4L037PA12
, 4L037PA19
