ラテラルMOSFET

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124199
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142729
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】ゲートのエッジと対角線的な金属ラインのエッジとの間の最小の空間を保持しながら、金属接続部の断面積を最小にすることを目的とする。【構成】所定の導電型の半導体基層と、前記基層の上に配置されたゲート層と、前記基層の前記導電型とは異なる濃度のまたは異なる極性の導電型を有する半導体材料からなる領域と、前記ゲート層の開口部と、前記開口部を貫通し、かつ前記半導体材料からなる領域と接触する金属接続部と、前記基層の表面に直交するパターンで配列された複数のセルと斜角をなして前記直行するパターンへ延在する複数の第1金属接続ラインとからなる。

請求項（抜粋）：

ラテラルMOSFETであって、所定の導電型の半導体基層と、前記基層の上に配置されたゲート層と、前記基層の前記導電型とは異なる濃度のまたは異なる極性の導電型を有する半導体材料からなる領域と、前記ゲート層の開口部と、前記開口部を貫通し、かつ前記半導体材料からなる領域と接触する金属接続部とを備え、前記基層の表面に互いに直交するパターンで配列された複数のセルと、斜角をなして前記直交するパターンへ延在する複数の第1金属接続ラインとを有し、前記金属接続部と前記ゲート層との間の少なくとも第1の予め決められた最小の距離が保持され、かつ前記金属接続部と前記金属接続ラインの1つのエッジとの間の少なくとも第2の予め決められた距離が保持されながら、前記金属接続部の少なくとも一部ができるだけ大きく設計された断面の形状を有することを特徴とするラテラルMOSFET。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/44 F

引用特許：

審査官引用 (21件)

特開昭62-185373
特開平4-109677
特開昭60-053085

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