点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335326
公開番号（公開出願番号）：特開2001-151597
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】点欠陥の凝集体が存在しないことに加えて、酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3(旧ASTM)以上であってもIG効果が得られる。【解決手段】格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域[I]に隣接しかつ点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域[V]に隣接しかつ前記領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、すくなくとも領域[PV]又は領域[PI]のいずれかからなりかつ酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3(旧ASTM)以上であるインゴットを引上げ、このインゴットから切出されたウェーハを水素又はアルゴンガス雰囲気下で室温から900〜1200°Cまで5〜50°C/分の速度で加熱し、5〜120分間保持する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を[I]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を[V]とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記パーフェクト領域[P]からなるインゴットから切出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法において、前記領域[I]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、前記領域[V]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、前記領域[PV]又は領域[PI]のいずれか一方又は双方からなりかつ酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3(旧ASTM)以上であるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記インゴットから切出されたシリコンウェーハを水素又はアルゴンガス雰囲気下で室温から900〜1200°Cまで5〜50°C/分の昇温速度で加熱し、5〜120分間保持する第1段熱処理を行うことを特徴とする点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 , H01L 21/208 , H01L 21/322 , H01L 21/66

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P , H01L 21/322 Y , H01L 21/66 N

Fターム (23件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077CF10 , 4G077FE12 , 4M106AA01 , 4M106AA13 , 4M106CB03 , 4M106CB19 , 4M106CB20 , 4M106CB30 , 4M106DH55 , 4M106DH56 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ38 , 5F053AA12 , 5F053AA44 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053PP03 , 5F053RR03

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