特許
J-GLOBAL ID：200903079085565126
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068540
公開番号（公開出願番号）：特開平6-294814
出願日： 1987年11月24日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】共振周波数近傍の振動や過大加速度が加わった際における片持梁の破壊耐量を向上させた半導体加速度センサの製造方法を提供する。【構成】質量部12と支持フレ-ム11との間を、質量部の変位が最も大きくなる部分の近傍で、梁とは異なる材質(金属膜)の弾性体(ブリッジ14)で結合することにより、共振周波数付近の振動や過大加速度が印加された場合には最大振幅が過大にならないように抑制し、かつ、通常の加速度が印加された場合には、感度の低下なく正常に検出することが出来るように構成し、また、その製造方法を一連の半導体処理工程のみで、一度に製造するように構成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、加速度に応じて変位可能な質量部と固定された支持フレ-ムとの間が、上記質量部及び支持フレ-ムと同一材質の梁によって結合され、かつ、上記梁に形成された拡散抵抗を有し、加速度の印加に応じて生じる上記梁の変位に応じて上記拡散抵抗に生じる抵抗値の変化を検出することによって印加された加速度を検出する半導体加速度センサであって、上記質量部と固定された支持フレ-ムとの間が、上記質量部の最大変位可能な部分の近傍において上記質量部および支持フレ-ムとは異なる材質の弾性体で結合されている半導体加速度センサを製造する方法において、下記の工程を有することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。(a)第1導電型の半導体基板上に反対導電型のエピタキシャル層を形成する工程。(b)上記エピタキシャル層内で、後に上記質量部と上記支持フレ-ム間の空隙となる部分に第1導電型の不純物を拡散して、第1導電型の高濃度拡散領域を形成し、かつ表面に絶縁膜を形成する工程。(c)上記エピタキシャル層内の所定部分に第1導電型の不純物を拡散して、拡散抵抗を形成する工程。(d)上記拡散抵抗に接続する電極を形成する工程。(e)上記質量部の先端部と上記支持フレームとに架けて、上記弾性体となる金属膜を形成し、所望の弾性体形状にエッチングする工程。(f)基板の裏側及び表側に保護膜を形成して必要な形状にパタ-ニングする工程。(g)上記保護膜をマスクとして上記高濃度拡散領域を含む所望の部分をエッチングして、上記質量部と上記梁を形成し、質量部の先端部と支持部分とが上記弾性体形状の金属膜で接続された構造を形成する工程。
IPC (2件)：
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