特許

J-GLOBAL ID：200903079089811903

半導体装置

発明者： 小宮山 克美 ,  星 淳一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349131
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202147
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 薄型でフレキシブルな半導体装置を構成する。【構成】 単結晶Siからなる半導体層10、11を中心に上下にアモルファス絶縁層2、20、30を有し、装置の層厚が100μm以下である半導体装置。【効果】 Si基板を有する半導体装置に比較して破断曲率半径が小さく、曲げに強く破損しにくい。

請求項（抜粋）：

単結晶Si薄膜を活性層として用いたアクティブ素子を作り込んだ半導体集積回路の上下にアモルファス絶縁層を積層してなる半導体装置であって、装置の層厚が100μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 X