特許

J-GLOBAL ID：200903079101531768

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 龍彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240841
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082772
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 ショットキーバリアダイオードを含む高速な半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 バイポーラトランジスタのコンタクト部はチタンシリサイド膜18a,18b,18cで、ショットーバリアダイオードのカソードコンタクト部はチタンシリサイド膜18eで構成されている。絶縁膜15を堆積後、ショットーバリアダイオードのアノード領域を開口して白金シリサイド8dを形成する。次に、チタンシリサイド膜上にコンタクト孔を開口して配線9a,9b,9c,9d,9eを設ける。【効果】 白金シリサイド8dで良好なショットキー接合を形成し、チタンシリサイドによりコンタクト部の抵抗を小さくする。従って、良好な特性を持ったショットキーバリアダイオードを有し、前記コンタクト部のコンタクト抵抗を低くして回路動作の高速化した半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された素子の能動領域と配線層とのコンタクト部に形成された第1の金属シリサイド膜と、ショットキー接合を形成するため、前記半導体基板上に形成された前記第1の金属シリサイド膜とは異なる金属を含む第2の金属シリサイド膜と、を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/48 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-048958
  
• 特開昭61-008977
  
• 特開昭61-142739
  
• 特開昭63-244861