特許
J-GLOBAL ID：200903079104153489
電磁波アシストによるリフトオフ法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129220
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体素子製造において利用されるリフトオフ法に関し、レジストが高分子化されている場合にあって、通常の溶剤を用いて容易にリフトオフ工程を実施できる方法の提供を目的とする。【構成】 上層の金属3を通して下層のレジスト2に対し、当該金属3のプラズマ振動数以上のエネルギーの電磁波を照射後、リフトオフを行う。
請求項（抜粋）：
基板(1)上の高分子化されたレジスト(2)をパターニングし、次いで全面に金属(3)を付着させ、そして残留レジスト(2)を溶解可能な処理液を使ってリフトオフを行うことにより基板(1)上に所定パターンの金属(3)を残留させるリフトオフ法において、リフトオフに先立ち、リフトオフすべき金属(3)のプラズマ振動数以上のエネルギーを有する電磁波を当該付着金属(3)を通して下層のレジスト(2)に照射することを特徴とするリフトオフ法。
IPC (2件)：
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