特許

J-GLOBAL ID：200903079105606207

半導体メモリおよび半導体集積回路装置

発明者： 伊藤 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328718
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162171
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 データを読み出し、演算した結果を同じアドレスに書き戻す操作を連続したアドレスに対して行う場合の処理速度を大幅に向上する。【解決手段】 読み出されるXアドレス信号X、YアドレスRYにより指定したデータを出力し、演算部により演算処理を行う。次に、ライトYアドレスデコーダ16には、演算部が処理したデータを同じアドレスに書き込むライトYアドレスWYが入力され、リードYアドレスデコーダ17には、次のデータを読み出すリードYアドレスRYが入力される。ライトイネーブル信号WEがアクティブとなると、演算部が処理したデータは、元のアドレスに書き込まれ、データ出力バッファ22からは、次のデータの出力が行われ、演算部が演算処理を行う。同様の動作を繰り返して行い、同一のXアドレスのページにおける任意のYアドレスデータの書き込みおよび読み出しを平行して行う。

請求項（抜粋）：

入力されるデータ書き込み用列アドレスに対応したデコード信号を出力する書き込みアドレスデコーダと、前記書き込みアドレスデコーダのデコード信号に基づいて所定のメモリセルを選択する書き込みアドレスセレクタと、入力されるデータ読み出し用列アドレスに対応したデコード信号を出力する読み出しアドレスデコーダと、前記読み出しアドレスデコーダのデコード信号に基づいて所定のメモリセルを選択する読み出しアドレスセレクタとを備えたことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/41 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481

FI (3件)：

G11C 11/34 301 D ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481