特許

J-GLOBAL ID：200903079106644307

半導体/りん光体多結晶発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： カーチス・ディ・モイヤー ,  ジェイムズ・イー・ジャスキー ,  ロナルド・エヌ・レッジ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163987
出願日： 1993年08月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 高い効率、低い動作電圧および高い信頼性を有し、イメージ表示装置などに使用して好適な半導体/りん光体多結晶発光ダイオードを実現する。【構成】 ダイヤモンドのような、半導体材料のキャリア注入層(14)、およびそれらの間にダイオードを形成するように配置された、酸化亜鉛のような、多結晶りん光体の発光層(12)を含む発光ダイオード(10)である。前記半導体材料は前記多結晶りん光体よりも広いバンドギャップを有し、かつ各材料はさらにエネルギスパイクを生じさせる前記接合における不連続性を最小にするよう選択される。

請求項（抜粋）：

半導体/りん光体多結晶発光ダイオード(10)であって、選択されたバンドギャップ(Ec/Ev)を有する半導体材料を含むキャリア注入層(14)、それらの間に接合を形成するように前記キャリア注入層(14)の面上に配置され選択されたバンドギャップ(Ec/Ev)を有する多結晶りん光体材料を含む発光層(12)、を具備し、前記半導体材料および前記多結晶りん光体材料は前記半導体材料のバンドギャップが前記多結晶りん光体材料のバンドギャップよりも広くなるよう選択されることを特徴とする、半導体/りん光体多結晶発光ダイオード(10)。