特許
J-GLOBAL ID：200903079111451568
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-027265
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体保護膜を用いず、TFTのN+型のアモルファスシリコン・コンタクト層を精度高くエッチングすることを目的とする。【構成】 TFTの構成要素であるアモルファスシリコン層(16),(18)の形成工程の間に、金属保護層(30)を被着し、a-Si層(16)がエッチングされることを防止している。
請求項（抜粋）：
透明な絶縁性基板上に形成されたゲートと、このゲートと電気的に接続されたゲートラインと、実質的に前記絶縁性基板の全面に形成された絶縁層と、前記ゲートを一構成とするTFTのドレインラインと前記ゲートラインの交差部にあるこのゲートラインを覆う金属保護層と、前記ゲートを一構成とするTFTの活性領域および前記交差部を少なくとも覆うように形成された第1の非単結晶シリコン膜と、前記ゲートを一構成とするTFTのソース領域とドレイン領域の間および前記交差部に設けられた半導体保護膜と、前記ゲートを一構成とするTFTのソース領域、ドレイン領域および前記交差部に設けられた第2の非単結晶シリコン膜と、このソース領域に対応する第2の非単結晶シリコン膜と電気的に接続された表示電極と、前記ドレイン領域に対応する第2の非単結晶シリコン膜と電気的に接続され、前記表示電極と同一材料のドレインラインとを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12
, H01L 29/784
