半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011560
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216163
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、低温で成膜したSiN膜を低温アニールによって改質し、また、製造装置系の構成を簡素化する。【解決手段】基体1上にSiN膜5を堆積したのち、触媒体3に原料ガス2を吹きつけ、触媒体3と原料ガス2との接触反応によって原料ガス2の少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種4の雰囲気中にSiN膜5を晒す。

請求項（抜粋）：

基体上にSiN膜を堆積したのち、触媒体に原料ガスを吹きつけ、前記触媒体と原料ガスとの接触反応によって原料ガスの少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種の雰囲気中に前記SiN膜を晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/324 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/324 G , H01L 21/324 X , H01L 21/324 Z , H01L 21/31 B , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 617 V

Fターム (41件)：

5F040DA06 , 5F040ED04 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA15 , 5F045DC63 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045HA16 , 5F045HA21 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BF01 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BG10 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA08 , 5F110AA17 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110FF36

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-169932
半導体装置の絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064721 出願人：株式会社東芝
ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232412 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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