特許

J-GLOBAL ID：200903079119017441

薄膜の製造方法とその装置

発明者： 丸山 一典 ,  小駒 益弘 ,  岡崎 幸子
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138761
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高品質で、高効率な、多成分系の薄膜形成にも有用な、大気圧グロー放電プラズマによる新しい薄膜製造方法。【構成】 無機金属化合物、有機金属化合物もしくはその混合物の溶液ミストを、希ガス、もしくは希ガスと不活性ガスあるいは反応性ガスとの混合ガスによる大気圧グロー放電域に導入し、基板23表面に金属または金属化合物含有薄膜を形成する、大気圧グロー放電による薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

無機金属化合物、有機金属化合物もしくはその混合物の溶液ミストを、希ガス、もしくは希ガスと不活性ガスあるいは反応性ガスとの混合ガスによる大気圧グロー放電域に導入し、基板表面に金属または金属化合物含有薄膜を形成することを特徴とする大気圧グロー放電による薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-305813
  
• 特開昭63-050478
  
• 特開昭62-060872
  
• 特開平2-243504