半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260985
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112422
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置を静電破壊から保護するために外部入力端子と入力バッファとの間に挿入される保護回路において、電源電圧3VのLSIと5VのLSIとのインターフェースを高信頼度で実施出来ることを目的とする。【構成】外部信号入力端子3と入力バッファ6の入力端との間にゲートを電源電位VDDに接続されたN型MOSトランジスタ6を配し、外部信号入力端子3と電源電位VDD間及び外部信号入力端子3と接地電位GND間にゲート電極直下の絶縁膜にフィールド分離帯を用いたN型MOSトランジスタ4,5を配し、さらに入力バッファ9の入力端と電源電位VDD間にP型MOSトランジスタ7を、入力バッファ9の入力端と接地電位GND間にN型MOSトランジスタ8をそれぞれ配した入力保護回路より構成される。

請求項（抜粋）：

ソースとゲートが外部信号入力端子に接続されドレインが第1の電源電位に接続された第1のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、ソースとゲートが第2の電源電位に接続されドレインが前記外部信号入力端子に接続された第2のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、ソースが前記外部信号入力端子に接続されドレインが入力バッファの入力端に接続されゲートが前記第1の電源電位に接続された第3のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、ソースとゲートが前記第1の電源電位に接続されドレインが前記入力バッファの入力端に接続された第1のPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタと、ソースとゲートが前記第2の電源電位に接続されドレインが前記入力バッファの入力端に接続された第4のNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタとから構成される入力保護回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/092 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/08 321 H , H01L 27/06 311 C , H01L 29/78 301 K

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