特許
J-GLOBAL ID：200903079127795623
電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035356
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】電子を複数方向に放出できるとともに電子放出面積を大きくすることができる低コストの電界放射型電子源を提供する。【解決手段】導電性基板たるp形シリコン基板1と、p形シリコン基板1の主表面側にストライプ状に形成されたn+拡散層8と、n+拡散層8上に形成された強電界ドリフト層6と、強電界ドリフト層6間に形成された酸化された多結晶シリコン層4と、n+拡散層8に交差する方向にストライプ状に形成され強電界ドリフト層6および上記多結晶シリコン層4に跨って形成された導電性薄膜よりなる表面電極7とを備えている。p形シリコン基板1の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層6が、仮想表面に対して表面電極7との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部6a,6bを有している。
請求項（抜粋）：
導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化若しくは窒化された多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより、導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト層は、導電性基板の厚み方向に直交する仮想表面に対して表面電極との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる複数の傾斜型ドリフト部を有することを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (3件)：
H01J 1/312
, H01J 9/02
, H01J 31/12
H01J 1/30 M
, H01J 9/02 M
, H01J 31/12 C
5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF08
, 5C036EG02
, 5C036EG12
, 5C036EH01
