特許
J-GLOBAL ID:200903079135272095
樹脂封止型半導体装置及びそれに用いられるリードフレーム部材
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小西 淳美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-263636
公開番号(公開出願番号):特開平9-082877
出願日: 1995年09月19日
公開日(公表日): 1997年03月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子の高速処理化及び高い熱放散性に対応できる樹脂封止型のパッケージと、それに用いられるリードフレーム部材を提供する。【解決手段】 封止用樹脂から露出した金属プレーンを有する樹脂封止型半導体装置であって、インナーリードとアウターリードとを持ち、ダイパッドを持たない単層リードフレームと、半導体素子を搭載し、電源またはグランドとなる金属プレーンと、第一絶縁層と、第二絶縁層とを有し、上から単層リードフレーム、第一絶縁層、金属プレーン、第二絶縁層の順に積層されており、半導体素子は金属プレーン上に搭載され、第二絶縁層の開口部に半田等からなるボール形状の外部端子を金属プレーンに連結して、一部が外部に突出するように設けている
請求項(抜粋):
封止用樹脂から露出した金属プレーンを有する樹脂封止型半導体装置であって、少なくとも、半導体素子の端子部と電気的接続を行うためのインナーリードと、該インナーリードと一体的に連結し外部回路と電気的接続を行うためのアウターリードとを持ち、半導体素子を搭載するためのダイパッドを持たない単層リードフレームと、半導体素子を搭載し、電源層またはグランド層となる前記金属プレーンと、第一絶縁層と、第二絶縁層とを有し、上から単層リードフレーム、第一絶縁層、金属プレーン、第二絶縁層の順に積層されており、第一絶縁層は、少なくとも金属プレーンの半導体素子搭載領域を含み、単層リードフレームのインナーリード先端部に対応する領域にかからない開口部を設けており、第二絶縁層は金属プレーンの金属面を外部に露出させるための開口部を設けており、半導体素子は金属プレーン上に端子を上にして搭載され、単層リードフレームのインナーリード部とワイヤにて電気的に結線され、且つ、半導体素子の電源端子、グランド端子のうちの一方の端子は金属プレーンとワイヤにて電気的に結線されており、第二絶縁層の開口部に半田等からなるボール形状の外部端子を金属プレーンに連結して、少なくとも一部が外部に突出するように設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/50
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12
FI (6件):
H01L 23/50 W
, H01L 23/50 F
, H01L 23/50 R
, H01L 23/50 Y
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 L
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