面発光型半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283791
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】本発明は、素子抵抗の小さい面発光型半導体レーザ、及び高い信頼性を有する0.98μm帯の面発光型半導体レーザを提供する。【構成】伝導帯側(価電子帯側)のバンド端不連続が大きい半導体材料系をp型(n型)の半導体多層膜反射鏡に用いることにより、電子及び正孔各々に対するヘテロ障壁の高さを低減する。また、0.98μm帯の面発光型半導体レーザの半導体多層膜反射鏡をAlを含有していない半導体材料系で構成する。【効果】本発明では、電子及び正孔各々に対するヘテロ障壁の高さを調整することにより、素子抵抗の小さい面発光型半導体レーザを提供することができる。その結果、特に長波長帯面発光型半導体レーザにおける室温連続発振、高速変調動作に対して効果がある。さらに、0.98μm帯の面発光型半導体レーザの信頼性の向上に対して有効である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層をp型の半導体多層膜反射鏡とn型の半導体多層膜反射鏡で挟んだ積層構造体を有する面発光型半導体レーザにおいて、上記p型の半導体多層膜反射鏡とn型の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体材料が異なることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

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