エピタキシャルチャネルMOSトランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113601
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288508
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】サブスレッショルド特性の優れたMOSFETの提供。【構成】チャネル部の不純物濃度がゲート酸化膜界面では低く、中間の深さでは高濃度となり、最も深い部分では低濃度となるような不純物濃度のMOSFETを形成し、チャネルがオフの時にはチャネルから延びる空乏層は深い低濃度層中に達しており、チャネルがオンすることによる空乏層の延びは深い低濃度層中のみで起こるように高濃度層の厚さを薄くしておく。高濃度層と深い低濃度層の間の不純物濃度の変化を急峻にすることで、チャネルがオンになったときに急速に空乏層が延び、サブスレッショルド特性が改善され、高濃度層により、短チャネル特性は従来の不純物濃度が均一なトランジスタ程度に保たれる。

請求項（抜粋）：

チャネル部の不純物濃度がゲート酸化膜界面では低く、中間の深さでは高濃度となり、最も深い部分では低濃度となるような深さ方向の不純物分布を有し、チャネルがオフの時には前記チャネルから延びる空乏層が前記深い低濃度層中にあり、前記チャネルがオンした際の空乏層の延びが前記深い低濃度層中のみで起こることを特徴とするMOSFET。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/31 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/31 A , H01L 27/08 321 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-061070
特開昭52-116179

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