特許

J-GLOBAL ID：200903079137051940

SiCのパターンエッチング方法

発明者： 小枝 勝
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233528
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072606
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 迅速にSiC基板を所望のパターンにエッチングすることができるSiCのパターンエッチング方法を提供する。【解決手段】 SiC基板31を用意し、その表面にβ-SiC単結晶層32をデポジットする。その上に電子ビーム蒸着によりCr層34を形成し、その表面に、スピンコーティングによりフォトレジスト層33を形成する。次に、ホログラフィック露光を行い、現像することにより、得られるレジスト35をマスクとして、イオンビームエッチングを行い、レジストパターンをCrパターンに変換する。Crパターンをマスクとして、SF6 単独ガスを用いた反応性イオンビーム38を照射し、ドライエッチングを行なう。最後に、残存したCrをエッチング液で除去し、目的とするラミナー型回折格子39を得る。

請求項（抜粋）：

SiC基板上に形成したレジストパターンをマスクとして、或いはフッ素系ガスでエッチングされ難いメタル層をリフトオフして、SF6 単独或いはSF6 と不活性ガスとの混合ガスによる反応性イオンビームエッチングによりSiC基板のエッチングを行なうことを特徴とするSiCのパターンエッチング方法。

IPC (4件)：

G02B 5/18 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

G02B 5/18 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 D