特許

J-GLOBAL ID：200903079139567910

面型半導体光デバイス及びその作製方法

発明者： 横内 則之
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004241
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 低いしきい値電流及び高い温度で安定して動作し、しかも良好な光学特性を有する面型半導体光デバイスを提供することである。【解決手段】 本レーザダイオード10は、第1反射鏡部を備えた第1ブロック12と、第2反射鏡部と活性層と第3反射鏡部とを備え、第1ブロック12に接着された第2ブロック14とから構成されている。第1ブロックは、Ga As 基板16上にGa As 層18aとAlAs層18bとを交互に積層させた第1反射鏡部18と、下部電極20とからなる。第2ブロックは、Si/SiO2 層の第3反射鏡部22と、上部電極24、Ga InAsPエッチング停止層26、InPクラッド層28、多重量子井戸活性層30、3層のInP層32aとその間に介在する2層のGa InAsP層32bとからなる第2反射鏡部32とを備えている。第1ブロックと第2ブロックとは、Ga As 層18aとInP層32aとの間で異種材料直接接着技術により接着されている。接着界面は、第2反射鏡部と第3反射鏡部との間でも良い。

請求項（抜粋）：

基板に対して垂直に光を入射又は出射する面型半導体光デバイスであって、第1の多層膜半導体を基板上に有する第1のブロックと、少なくとも活性層と、活性層の下側に設けられた第2の多層膜半導体とを有する第2のブロックとを備え、第2のブロックは、第1のブロックの第1の多層膜半導体と第2のブロックの第2の多層膜半導体とを界面として第1のブロックの上に異種材料直接接着技術により接着されていることを特徴とする面型半導体光デバイス。