特許
J-GLOBAL ID：200903079140393437
金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311424
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】 電気配線として使用する金属薄膜を形成する場合に、耐食性が高く、しかも素子基板等への付着強度も強い銅合金薄膜を形成することができるスパッタリング・ターゲットとその製造方法を提供すること。【構成】 高純度銅合金の組成比に合わせて高純度銅に添加元素とを混合し(ステップ101)、その混合材料を溶解槽に投入して、不活性ガス雰囲気下等で溶湯を連続鋳造することによって、所定の断面形状をしたターゲット母材を形成し(ステップ102)、このターゲット母材から金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲットに加工する(ステップ103,104)。
請求項（抜粋）：
純度が99.9999重量%以上の高純度銅を基体金属とし、この基体金属に純度が99.9重量%以上のチタンを0.04〜0.15重量%添加することによって高純度銅合金製のターゲット材としたことを特徴とする金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット。
IPC (2件)：
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