特許
J-GLOBAL ID：200903079143201938
半導体レーザ用温度制御回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128583
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335958
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの温度制御素子に流れる電流を減少させることができる半導体レーザ用温度制御回路を提供する。【構成】 半導体レーザ素子2と温度検出素子3と温度制御素子4とを同一のパッケージ5に実装した半導体レーザ1と、温度検出素子3の検出値と予め設定した基準電圧値との差電圧を増幅して得られた信号で温度制御素子4を制御して半導体レーザ素子2の温度を安定化する増幅回路8とを備えた半導体レーザ用温度制御回路11aにおいて、増幅回路8に、基準電圧値の設定を変化させる時に増幅率を小さくし所定時間経過後はもとの増幅率に戻すための利得制御信号発生回路32を接続したことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と温度検出素子と温度制御素子とを同一のパッケージに実装した半導体レーザと、上記温度検出素子の検出値と予め設定した基準電圧値との差電圧を増幅して得られた信号で上記温度制御素子を制御して半導体レーザ素子の温度を安定化する増幅回路とを備えた半導体レーザ用温度制御回路において、上記増幅回路に、基準電圧値の設定を変化させる時に増幅率を小さくし所定時間経過後はもとの増幅率に戻すための利得制御信号発生回路を接続したことを特徴とする半導体レーザ用温度制御回路。
IPC (4件)：
H01S 3/096
, G05D 23/20
, H01L 35/28
, H01S 3/043
