特許
J-GLOBAL ID：200903079145075476
半導体ウエハーの研削方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274396
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114593
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体ウエハーの研削方法に係り,特に,素子形成を終えた半導体ウエハーの研削方法に関し,半導体ウエハーに割れや欠けを生ぜず均一な厚さに研削する方法の提供を目的とする。【構成】 ベースフィルム1上に熱可塑性樹脂層2,接着材層3がこの順に形成された台に半導体ウエハー4をその素子形成面を接着材層3と対向させて張り合わせ,次いで,熱可塑性樹脂層2を加熱するとともに半導体ウエハー4の素子形成面と反対側の背面とベースフィルム1下面から加圧して,素子形成面を熱可塑性樹脂層2になじませる工程を有し,半導体ウエハー4の張り合わされた台をテーブル5に固定して,半導体ウエハー4の素子形成面と反対側の背面を研削する半導体ウエハーの研削方法により構成する。
請求項（抜粋）：
ベースフィルム(1) 上に熱可塑性樹脂層(2), 接着材層(3)がこの順に形成された台に半導体ウエハー(4) をその素子形成面を該接着材層(3) と対向させて張り合わせ,次いで,該熱可塑性樹脂層(2) を加熱するとともに該半導体ウエハー(4) の素子形成面と反対側の背面とベースフィルム(1) 下面から加圧して,該素子形成面を該熱可塑性樹脂層(2) になじませる工程を有し,該半導体ウエハー(4) の張り合わされた台をテーブル(5) に固定して,該半導体ウエハー(4) の素子形成面と反対側の背面を研削することを特徴とする半導体ウエハーの研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 331
